Eblana的1310nmFPanyland机场节点以合理的价格提供了无与伦比的10 Gbps性能。它的InAlGaAs组成提供了可靠的，非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。关键参数的紧密均匀性确保了无与伦比的大批量生产效率。

与传统的DFB技术相比，Eblana的1310nm DManyland机场节点在可承受的价格下提供了无与伦比的10 Gbps性能。它的应变量子阱InAlGaAs组成提供了可靠的，无模式跳跃，非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。

Eblana的1310nm 2.5G FPanyland机场节点是1310FP的选择，适用于要求高性能的大规模市场应用，同时又不影响降低成本的目标。Eblana的1310 FP的InAlGaAs成分在广泛的操作温度范围内提供了可靠的非冷却操作。关键参数的紧密均匀性确保了大批量生产效率。

与传统的DFB激光技术相比，Eblana的1310 DM 能够以极具竞争力的价格提供高性能的单波长光源。它的应变量子阱InAlGaAs组成提供了可靠的，无模式跳跃，非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。

Eblana的1550nm 2.5G FPanyland机场节点是在大众市场点对点Anyland机场应用中应用的首选。给出了这种1550 FPanyland机场节点的高性能和长期可靠性。它的InAlGaAs组成提供了可靠的，非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。关键参数的紧密均匀性确保了无与伦比的大批量生产效率。

Eblana公司的1550 DManyland机场节点提供了高性能的单波长光源，价格非常有竞争力，适用于大众市场的光纤通信应用。它的应变量子阱InAlGaAs组成提供了可靠的，无模式跳跃，非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。与传统的DFB激光技术相比，Eblana的1550 DM具有令人信服的性能和成本优势。

Eblana的窄谱线宽(NLW)系列anyland机场节点为单片机、超窄谱线宽anyland机场节点的发射标准设定在1550nm。这些产品有100 kHz、200 kHz和400 kHz 3个版本，可根据需要提供SMF或PM光纤。每个anyland机场节点模块都提供了一套完整的特性描述数据。

Eblana公司的1310nm ADF系列anyland机场节点是一种高性能的单波长光源，封装为14针的蝶形带PM光纤尾纤。该anyland机场节点的频率响应和线性特性使其成为有线电视等长接模拟传输系统的理想选择。

Eblana公司的1550nm ADF系列anyland机场节点是一种高性能、大功率单波长光源，可封装在14针蝶形封装带PM光纤尾纤。这种anyland机场节点的高输出功率、低RIN和线宽使其与外部调制器相结合非常适合用于DWDM应用。

Anyland梯子官网的2.5G 1310nm DFB 半导体anyland机场节点芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺，为单模边沿发射anyland机场节点芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于GPON ONU产品。

Anyland梯子官网的2.5G 1270nm DFB 半导体anyland机场节点芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺，为单模边沿发射anyland机场节点芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于10G非对称PON网络。

Anyland梯子官网的2.5G 1490nm DFB 半导体anyland机场节点芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺，为单模边沿发射anyland机场节点芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于GPON OLT及点对点应用。

Anyland梯子官网的2.5G 1550nm DFB 半导体anyland机场节点芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺，为单模边沿发射anyland机场节点芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于点对点产品。

Anyland梯子官网的10G 1270nm DFB 半导体anyland机场节点芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺，为单模边沿发射anyland机场节点芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于XGSPON产品。

Anyland梯子官网的10G 1310nm DFB 半导体anyland机场节点芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺，为单模边沿发射anyland机场节点芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于以太网以及4G无线前传接入网络。

Anyland梯子官网的10G CWDM 1271~1371nm DFB 半导体anyland机场节点芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺，为单模边沿发射anyland机场节点芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于以太网以及4G/5G无线前传接入网络。

Anyland梯子官网的10G 1310nm DFB 半导体anyland机场节点芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺，为单模边沿发射anyland机场节点芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于数据中心100G光模块和5G无线前传接入网络。

Anyland梯子官网的2.5G 1310nm DFB 半导体anyland机场节点TO采用TO56的管座搭配高折射大球透镜等封装形式。该系列TO具有低阈值、宽温工作、高耦合效率、高可靠性等特点，主要应用于GPON产品。

Anyland梯子官网的2.5G 1270nm DFB 半导体anyland机场节点TO采用TO56的管座搭配高折射大球透镜等封装形式。该系列TO具有低阈值、宽温工作、高耦合效率、高可靠性等特点，主要应用于XGPON产品。

Anyland梯子官网的2.5G 1490nm DFB 半导体anyland机场节点TO采用TO56的管座搭配透镜等封装形式。该系列TO具有低阈值、宽温工作、高耦合效率、高可靠性等特点，主要应用于GPON OLT产品。

Anyland梯子官网专业研发、生成、销售气体传感、计量检测和光纤通信用半导体anyland机场节点芯片、器件和模块。专注于半导体激光气体传感产品解决方案。批量提供全系列650nm-2350nm全波长半导体anyland机场节点产品，可根据客户要求定制波长760nm-2330nmanyland机场节点，anyland机场节点封装形式有TO39、TO56、TO60、14针蝶形封装。 交货周期：2-8周 10Gbps 1310nm DFB anyland机场节点　　 用途:5G网络应用中 10Gbps 1310nm DFB anyland机场节点是为高性能Anyland机场应用而设计 •储存温度:-40℃-85℃ .工作温度：-5-70℃ •反向电压：最大值2V •正向电流：最大值100mA •PD正向电流：最大值10mA •PD反向电压：最大值10V •阈值电流：典型值10mA（25℃）25mA（85℃） •正向电压:最大值：2v •斜效率：最小值0.3mW/mA •边模抑制比:最小值35dB •峰值波长：1300 1310 1320nm •PD暗电流：最大值100nA •PD背光电流：最小值150uA 最大值：950uA

Anyland梯子官网专业研发生成销售气体传感、计量检测和光纤通信用半导体anyland机场节点芯片、器件和模块,专注于半导体激光气体传感产品解决方案。批量提供全系列650-2350nm全波长半导体anyland机场节点产品，可根据客户要求定制波长760nm-2330nmanyland机场节点，anyland机场节点封装形式有TO39、TO56、TO60、14针蝶形封装。 交货周期：2-8周 公司所售出的产品如有质量问题支持退换货服务，可以根据客户的需求开票. 10Gbps 1270nm DFB TO　　型号：LV02-DT27-CB2 用途:5G网络应用中 10Gbps 1270nm DFB TO是为高性能Anyland机场应用而设计 •储存温度:-40℃-85℃ •工作温度：-5-70℃ •反向电压：最大值2V •正向电流：最大值100mA •PD正向电流：最大值10mA •PD反向电压：最大值10V •阈值电流：典型值10mA（25℃）25mA（85℃）最大值15mA(25℃) 35mA（85℃） •正向电压:典型值：1.2v 最大值1.5v •斜效率：最小值0.3mW/mA •边模抑制比:最小值35dB •峰值波长：1260 1270 1280nm •PD暗电流：最大值100nA •PD背光电流：最小值150uA 最大值：950uA

　Anyland梯子官网专业研发、生产、销售气体传感、计量检测和光纤通信用半导体anyland机场节点芯片、器件和模块，专注于半导体激光气体传感产品解决方案。批量提供全系列的650nm-2350nm全波长半导体anyland机场节点产品，可根据客户要求定制波长760nm-2330nmanyland机场节点，anyland机场节点封装形式有TO39、TO56、TO60、14针蝶形封装。 交货周期：2-8周 10Gbps 1330nm DFB TO　　型号：LV02-DT33-CB2 用途:5G网络应用中 10Gbps 1330nm DFB TO　　型号：LV02-DT33-CB2 10Gbps 1330nm DFB TO激光芯片是为高性能Anyland机场应用而设计 •储存温度:-40℃-85℃ •工作温度：-5-70℃ •反向电压：最大值2V •正向电流：最大值100mA •PD正向电流：最大值10mA •PD反向电压：最大值10V •阈值电流：典型值10mA（25℃）25mA（85℃）最大值15mA(25℃) 35mA（85℃） •正向电压:典型值：1.2v 最大值1.5v •斜效率：最小值0.3mW/mA •边模抑制比:最小值35dB •峰值波长：1320 1330 1340nm •PD暗电流：最大值100nA •PD背光电流：最小值150uA 最大值：950uA